兆易创新:首款 DRAM 芯片最晚 2025 年量产

时间:2019-12-31 13:16来源:21Dianyuan

摘要:公司拟通过本项目,研发1Xnm级工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

此前,兆易创新发布非公开发行A股股票预案,公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股(含本数),募集资金总额(含发行费用)不超过人民币432,402.36万元,用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。近日,兆易创新在此次非公开发行A股股票申请文件的反馈意见的回复中,透露了具体规划。

 
 
表中可知,兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证,最晚将于2025年量产。
兆易创新披露,公司Flash芯片的下游客户与DRAM芯片的下游客户重合度较高。
对首款芯片试样片进行封装测试,后送至系统芯片商处进行功能性认证,认证完毕后送至客户进行系统级验证,包含功能测试、压力测试、烧机验证等,通过所有验证后完成客户验证,验证完成后进行小批量产,实施时间预计在2021年。

另外,兆易创新表示,公司拟通过本项目,研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施,有助于公司丰富自身产品线,有效整合产业资源,巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

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